SISA66DN-T1-GE3

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	SISA66DN-T1-GE3
Өндүрүүчү	Vishay / Siliconix
Description	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	SISA66DN-T1-GE3 PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	207263
UnitPrice	$ 0.42525

SISA66DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISA66DN-T1-GE3 Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	TrenchFET® Gen IV
пакет:	Tape & Reel (TR)
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	30 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	40A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	4.5V, 10V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id:	2.2V @ 1mA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	66 nC @ 10 V
vgs (максимум):	+20V, -16V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	3014 pF @ 15 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	52W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 150°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Surface Mount
берүүчү аппараттын пакети:	PowerPAK® 1212-8
пакет / куту:	PowerPAK® 1212-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.