Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз
| Өндүрүүчү бөлүгү | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| Өндүрүүчү | GeneSiC Semiconductor |
| Description | TRANS SJT 1200V 25A D2PAK |
| Категория | дискреттик жарым өткөргүч буюмдар |
| Үй-бүлө | транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз |
| Жашоо цикл: | New from this manufacturer. |
| Жеткирүү: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Төлөм | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Маалымат жадыбалы | GA10SICP12-263 PDF |
| Кампада | 373760 |
|---|---|
| UnitPrice | $ 29.67690 |
GA10SICP12-263 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com
| Type | Description |
|---|---|
| сериясы: | - |
| пакет: | Tube |
| бөлүгү абалы: | Active |
| фет түрү: | - |
| технология: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| чыңалуу булагына төгүү (vdss): | 1200 V |
| ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
| диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү): | - |
| rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs: | 100mOhm @ 10A |
| vgs(th) (макс) @ id: | - |
| дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs: | - |
| vgs (максимум): | - |
| киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds: | 1403 pF @ 800 V |
| fet өзгөчөлүгү: | - |
| кубаттуулукту сарптоо (макс): | 170W (Tc) |
| иштөө температурасы: | 175°C (TJ) |
| монтаждоо түрү: | Surface Mount |
| берүүчү аппараттын пакети: | D2PAK (7-Lead) |
| пакет / куту: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.