G3R350MT12J

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	G3R350MT12J
Өндүрүүчү	GeneSiC Semiconductor
Description	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	G3R350MT12J PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	664
UnitPrice	$ 5.90000

G3R350MT12J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G3R350MT12J Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	G3R™
пакет:	Tube
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	SiCFET (Silicon Carbide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	1200 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	11A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	15V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (макс) @ id:	2.69V @ 2mA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (максимум):	±15V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	334 pF @ 800 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	75W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 175°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Surface Mount
берүүчү аппараттын пакети:	TO-263-7
пакет / куту:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.