TP65H070LDG

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	TP65H070LDG
Өндүрүүчү	Transphorm
Description	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Жеткиликтүүлүк

Кампада	673
UnitPrice	$ 12.98000

TP65H070LDG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TP65H070LDG Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	TP65H070L
пакет:	Tube
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	650 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	25A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	10V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс) @ id:	4.8V @ 700µA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (максимум):	±20V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	600 pF @ 400 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	96W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 150°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Surface Mount
берүүчү аппараттын пакети:	3-PQFN (8x8)
пакет / куту:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.