RF1S640SM

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	RF1S640SM
Өндүрүүчү	Rochester Electronics
Description	MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	RF1S640SM PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	805
UnitPrice	$ 2.53000

RF1S640SM Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

RF1S640SM Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	-
пакет:	Bulk
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	200 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	18A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	-
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id:	4V @ 250µA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (максимум):	±20V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	1275 pF @ 25 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	125W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 150°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Through Hole
берүүчү аппараттын пакети:	TO-263AB
пакет / куту:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.