G3R160MT12D

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	G3R160MT12D
Өндүрүүчү	GeneSiC Semiconductor
Description	SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	G3R160MT12D PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	535
UnitPrice	$ 6.72000

G3R160MT12D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G3R160MT12D Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	G3R™
пакет:	Tube
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	SiCFET (Silicon Carbide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	1200 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	22A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	15V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (макс) @ id:	2.69V @ 5mA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (максимум):	±15V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	730 pF @ 800 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	123W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 175°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Through Hole
берүүчү аппараттын пакети:	TO-247-3
пакет / куту:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.