SCTW90N65G2V

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	SCTW90N65G2V
Өндүрүүчү	STMicroelectronics
Description	SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	SCTW90N65G2V PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	551
UnitPrice	$ 27.71000

SCTW90N65G2V Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTW90N65G2V Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	-
пакет:	Tube
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	SiCFET (Silicon Carbide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	650 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	90A (Tc)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	18V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (макс) @ id:	5V @ 250µA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	157 nC @ 18 V
vgs (максимум):	+22V, -10V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	3300 pF @ 400 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	390W (Tc)
иштөө температурасы:	-55°C ~ 200°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Through Hole
берүүчү аппараттын пакети:	HiP247™
пакет / куту:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.