TK10J80E,S1E

Сүрөт шилтеме үчүн, чыныгы сүрөттү алуу үчүн биз менен байланышыңыз

Өндүрүүчү бөлүгү	TK10J80E,S1E
Өндүрүүчү	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Категория	дискреттик жарым өткөргүч буюмдар
Үй-бүлө	транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз
Жашоо цикл:	New from this manufacturer.
Жеткирүү:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлөм	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Маалымат жадыбалы	TK10J80E,S1E PDF

Жеткиликтүүлүк

Кампада	469600
UnitPrice	$ 2.73480

TK10J80E,S1E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK10J80E,S1E Техникалык шарттар

Type	Description
сериясы:	π-MOSVIII
пакет:	Tube
бөлүгү абалы:	Active
фет түрү:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
чыңалуу булагына төгүү (vdss):	800 V
ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c:	10A (Ta)
диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү):	10V
rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs:	1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id:	4V @ 1mA
дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (максимум):	±30V
киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds:	2000 pF @ 25 V
fet өзгөчөлүгү:	-
кубаттуулукту сарптоо (макс):	250W (Tc)
иштөө температурасы:	150°C (TJ)
монтаждоо түрү:	Through Hole
берүүчү аппараттын пакети:	TO-3P(N)
пакет / куту:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.